本发明公开了一种卤化银
复合材料的制备方法,所述卤化银复合材料是指将卤化银负载在具有导电性能的载体表面制备而成的卤化银复合物,其中卤化银含量为载体重量的1.0%~175%,所述卤化银为溴化银或碘化银,所述具有导电性能的载体为片状石墨、膨胀石墨、
石墨烯、
碳纳米管、粒状活性炭、沸石或二氧化钛。本发明采用湿法共沉淀制备的复合材料可以使超细的AgX纳米颗粒均匀分散在具有导电性能的载体表面,抑制了AgX在表面的团聚。
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