本发明涉及一种C/C
复合材料表面的羟基磷灰石纳米带与羟基磷灰石涂层及一步共生长制备方法,首先对C/C复合材料进行离子镀表面改性,然后在同一个沉积体系之中,在不移动C/C复合材料样品的条件下,一步完成羟基磷灰石纳米带和羟基磷灰石涂层的制备。从而实现如下效果:其一,在羟基磷灰石涂层的内部引入了羟基磷灰石纳米带,两者具有一致的化学组分,从而解决了纳米带与涂层的物理化学性质不相容的问题。其二,羟基磷灰石纳米带和羟基磷灰石涂层在同一沉积体系中一步共生长,从而避免了纳米带和涂层的多步骤制备导致的缺陷累积的问题。
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“C/C复合材料表面的羟基磷灰石纳米带与羟基磷灰石涂层及一步共生长制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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