本发明目的公开了一种特制的真空熔炼炉以及SiC颗粒增强铝基
复合材料制备工艺,采用一定的成分配比及特殊的熔炼铸造工艺。该工艺中利用所述真空熔炼炉,实现了整体的密闭以及真空状态下加料,能够实时地测量熔体内部温度,并使颗粒以一定速度准确落入熔体漩涡中心,在强力搅拌下均匀分布在熔体内部,而且能够有效地对复合材料熔体起到脱氧、脱气的作用,由此本工艺能生产出成分均匀、低孔隙率、高力学性能且导热性能优异的复合材料。一种坩埚升降式真空熔炼炉,包括坩埚复合装置及升降平台系统、搅拌装置及升降平台系统、加料装置、真空系统、手持可升降热电偶、密封系统、电控系统。
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