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低成本熔硅浸渗法制备 C/SiC 复合材料的方法

722   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:00:01
本发明涉及一种低成本熔硅浸渗法制备C/SiC复合材料的方法。该方法包括步骤:将碳毡或石墨毡于400~600℃温度煅烧预处理;预处理后的碳毡或石墨毡浸入三聚氰胺和硼酸溶液中,涂覆一层氮化硼保护层;再浸入碳/碳化硅浆料水溶液浸渗,使碳毡或石墨毡孔隙中充满碳/碳化硅,置于烧结炉中,在1600-1800℃温度下进行一次熔融渗硅处理;再浸入液体酚醛树脂中,然后在800-1000℃、惰性气氛保护下碳化处理,使树脂全部碳化,最后进行二次熔融渗硅处理,使树脂碳化产生的碳与硅全部反应生成碳化硅,得到C/SiC复合材料。所得C/SiC复合材料致密度高、气孔和游离硅的含量低,材料强度、韧性和摩擦磨损性能好,可用于制作刹车片。
声明:
“低成本熔硅浸渗法制备 C/SiC 复合材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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