本发明公开了一种Cu
2O/1T MoS
2复合材料及其制备方法与应用,属于光学材料制备技术领域,该复合材料以MoS
2(1T MoS
2)纳米片为衬底原位生长具有p型半导体性质的Cu
2O材料(Cu
2O/1T MoS
2)并应用于甲基橙的光降解。该复合材料通过获得金属相MoS
2,金属相MoS
2具有非常好的导电性,有助于
半导体材料Cu
2O所产生的电子空穴对的快速转移,从而降低电子空穴对的再次复合,大大提高了Cu
2O的光学性质。并成功应用于甲基橙的光降解,很大程度上提高了Cu
2O对的光降解性能。
声明:
“氧化亚铜/二硫化钼复合材料及其制备方法与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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