本发明公开了一种负电阻温度系数厚膜电阻器,其主要由绝缘基片、端头电极和厚膜电阻层组成,绝缘基片是采用莫来石纤维增强莫来石
复合材料制作。该厚膜电阻器的制备方法,包括以下步骤:将莫来石纤维增强莫来石复合材料进行磨平和表面抛光处理得绝缘基片;在绝缘基片上丝网印制导体浆料,待干燥后进行烧结,再丝网印制电阻浆料,待干燥后进行烧结,得到负电阻温度系数厚膜电阻器。本发明还提供一种用于制备厚膜电阻器的莫来石复合材料绝缘基片,其是采用包括溶胶浸渍、凝胶、烧结、反复致密化在内的工艺步骤制备得到。本发明的厚膜电阻器可保持自身方阻值基本不变,具有成品率高、性能可靠、使用寿命长等优点。
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“可用于制备厚膜电阻器的莫来石复合材料绝缘基片、厚膜电阻器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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