本发明提供了一种混杂基体SiCf/SiC
复合材料及其制备方法,所述方法包括:对SiC纤维预制件进行预处理,并在SiC纤维预制件的表面沉积一层PyC界面层或BN界面层;将沉积界面层的SiC纤维预制件放置在SiC沉积炉中,以氢气鼓泡三氯甲基
硅烷作为源气,氩气为稀释气体,得到沉积有CVI SiC基体的中间体;将中间体真空浸渍在聚碳硅烷溶液中,得到PIP SiC基体,同时重复PIP循环周期5~6次,即得混杂基体SiCf/SiC复合材料。本发明方法显著降低了制备复合材料的闭孔率,提高了其致密度以及显微组织均匀性,其力学性能、性能稳定得到了显著提高。
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