本发明涉及
半导体材料制备技术领域,具体涉及一种硫化铋/二氧化钛
复合材料薄膜及其制备方法与应用。本发明以钛酸四丁酯为钛源,以盐酸和水为溶剂,水热法制备TiO
2纳米棒薄膜;将pH为1~2的硝酸铋溶液和硫代硫酸钠溶液混合,搅拌反应10~20min,得到前驱体溶液;TiO
2纳米棒薄膜置于前驱体溶液中,进行水热敏化处理,最后100~400℃退火处理30~50min,得到硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜。本发明制得的硫化铋/二氧化钛复合材料薄膜的结晶性和光电性能有明显提高,同时有效地控制Bi
2S
3的均匀结晶性,操作简单、成本低,重复性高,有良好的稳定性。
声明:
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我是此专利(论文)的发明人(作者)