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原位生长碳界面层改性SiC/SiC复合材料及其制备方法

790   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:50:03
本发明提供了一种原位生长碳界面层改性SiC/SiC复合材料及其制备方法,该方法包括:(1)将SiC纤维预制体与第一前驱体进行反应,得到包含碳界面层的第一试样(2)将第一试样与第二前驱体进行化学气相沉积反应,进一步得到包含SiC界面外层的第二试样(3)将第二试样浸渍在第三前驱体中,得到第三试样;(4)将第三试样依次进行固化、裂解反应,得到第四试样;(5)重复步骤(3)至(4)至少一次,然后进行液态硅熔渗,得到改性SiC/SiC复合材料。本发明制备的改性SiC/SiC复合材料具有原位生长的完整碳界面层,具有优异的力学性能。
声明:
“原位生长碳界面层改性SiC/SiC复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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