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微米级多孔Si/SiO2复合材料、制备方法及其应用

945   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:48:02
本发明提供一种微米级多孔Si/SiO2复合材料、制备方法及其应用,属于微纳米材料合成领域。本发明所使用的含硅物质为廉价易得的工业级硅源,制备的Si/SiO2复合材料呈直径为20μm的圆盘状,且表面具有丰富的孔隙结构。所述的Si/SiO2复合材料具有独特的三元组成结构,其中,晶体硅作为活性物质,提供较高的负极容量,晶体二氧化硅作为骨架,维持复合材料微米级结构,无定形二氧化硅包覆晶体硅,缓解硅负极在充放电过程中的体积变化。另外,本发明原料易得,工艺简单,成本较低,适合工业化生产,应用前景广阔。
声明:
“微米级多孔Si/SiO2复合材料、制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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