本发明公开了一种C/SiC
复合材料及其制备方法。本发明所提供的C/SiC复合材料是按照包括下述步骤的方法制备得到的:采用化学气相渗透法依次在
碳纤维预制体表面沉积热解碳界面层和碳化硅基体得到C/SiC复合材料;其中,所述碳化硅基体的沉积条件如下:以CH3SiCl3(MTS)为气源,H2为载气、Ar为稀释气体,在1100℃,50kPa的条件下沉积SiC?40小时;所述碳纤维预制体为2.5维(2.5D)碳纤维编织体。该材料的弯曲强度达到了213.8MPa,已满足结构材料对弯曲强度的基本要求;在室温到1200℃的温度区间内保持了较低的线热膨胀系数。
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