本发明属于
纳米材料制备技术领域,特别涉及纳米花状聚吡咯‑氧化锰
复合材料的制备方法。利用氧化锰(MnO2)与导电聚合物
电化学共沉积,制备了具有大电位窗范围(‑0.3~0.9V vs.SCE)的纳米花状聚吡咯‑氧化锰复合材料,该材料可用作超级电容器电极材料,并有效扩大了氧化锰(0~0.9V vs.SCE)和聚吡咯(‑0.3~0.5V vs.SCE)的
储能电位范围;本发明所采用的电化学共沉积方法制备方便快速、对环境友好,并且具有实验反应条件易于控制,产品无需后处理等特点。
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