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气相渗硅工艺制备碳纤维增强碳化硅基复合材料的方法

1096   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:43:02
本发明涉及一种气相渗硅工艺制备高致密纤维 增强SiC基复合材料的制备方法。首先采用气相或液相途径在 纤维表面形成保护层界面,然后通过在纳米SiC浆料浸渍、裂 解,制备成具有一定致密度的纤维增强SiC基的预制体。再通 过浸渍裂解方式向预制体中引入碳,形成具有一定孔隙的基 体,经高温处理后,以气相硅的方式渗透多孔体内部,与碳反 应并填充孔隙,得到致密基体。通过该工艺制成碳纤维增强SiC 陶瓷基复合材料密度达到2.25- 2.30g/cm3,开口空隙率在3-6 %,大大高于传统化学气相渗透法或有机前驱物浸渍裂解解法 得到Cf/SiC材料。
声明:
“气相渗硅工艺制备碳纤维增强碳化硅基复合材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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