本发明公开了一种1‑3型压电单晶
复合材料制备方法,属于电子元器件制造技术领域。该方法由单晶的多线切割工艺、灌注工艺以及后续的脱模加工、印制电极等工艺过程组成。本方法发明的双面多线切割工艺,充分发挥了线切割小应力、接近常温切割的特点,实现对极化后的压电单晶进行高精度切割,制备的压电单晶复合材料无明显退极化,能够充分发挥单晶复合材料的高性能;避免了单晶切割容易崩瓷、断裂等不利影响。适合1‑3型压电单晶复合材料的制备,与传统刀片式切割制备工艺相比,具有明显的技术优势。
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