本发明属于电子封装材料领域,主要应用于集成电路、激光器件等半导体行业中的金属封装行业,特别是涉及一种采用在钼板上电镀或喷涂铜层后的轧制工艺制备具有特殊层厚比例的铜/钼/铜电子封装
复合材料的方法。该方法包括表面处理、电镀或喷涂、退火、冷轧、后续处理五个步骤。本发明与现有技术相比具有生产工序简化,生产周期缩短,生产效率高,成本低的优点;其成品具有高导热、高强度,厚度比例特殊,尺寸适应性和一致性好、成品率高、冲压性能良好,同时具有与
半导体材料相匹配的热膨胀系数和导热率的优点。用该方法能够生产出钼层与铜层的厚度比大于1∶4∶1的铜/钼/铜多层金属复合材料。
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“具有特殊层厚比例的铜/钼/铜电子封装复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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