权利要求
1.低膨胀硅基复合材料，其特征在于，所述低膨胀硅基复合材料包括：多孔陶瓷和氧化亚硅; 其中, 氧化亚硅的化学式为SiO x，0＜x＜1.6； 所述低膨胀硅基复合材料以所述多孔陶瓷作为骨架，所述氧化亚硅分布在所述多孔陶瓷的孔隙内； 所述低膨胀硅基复合材料的振实密度在0.8g/cm 3-1.3g/cm 3之间； 所述多孔陶瓷包括：多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化镓、多孔氮化钛、多孔氮化硼中的一种或多种； 所述多孔陶瓷的粒径Dv50在20nm-100μm之间； 所述多孔陶瓷的孔隙的孔径在1nm-20μm之间； 所述多孔陶瓷的孔隙率在50%-90%之间。2.根据权利要求1所述的低膨胀硅基复合材料，其特征在于，所述氧化亚硅占所述低膨胀硅基复合材料总质量的百分比为50%-90%； 所述多孔陶瓷占所述低膨胀硅基复合材料总质量的百分比为10%-50%。 3.根据权利要求1所述的低膨胀硅基复合材料，其特征在于，所述低膨胀硅基复合材料还包括碳包覆层；所述碳包覆层的质量占所述低膨胀硅基复合材料总质量的百分比为0-20%。 4.上述权利要求1-3任一所述的低膨胀硅基复合材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 将多孔陶瓷和氧化亚硅进行复合，得到低膨胀硅基复合材料； 其中，所述复合的方法包括：液相法或固相法； 所述多孔陶瓷包括：多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化镓、多孔氮化钛、多孔氮化硼中的一种或多种；所述多孔陶瓷的粒径Dv50在20nm-100μm之间；所述多孔陶瓷的孔隙的孔径在1nm- 20μm之间；所述多孔陶瓷的孔隙率在50%-90%之间； 所述氧化亚硅占所述低膨胀硅基复合材料总质量的百分比为50%-90%； 所述多孔陶瓷占所述低膨胀硅基复合材料总质量的百分比为10%-50%。 5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述液相法包括：将所述氧化亚硅均匀分散于有机溶剂中，得到预混溶液； 将所述多孔陶瓷加入到所述预混溶液中，继续均匀分散，得到混合溶液； 将所述混合溶液置于高温炉内，升温至700℃-1000℃，保温2小时-5小时，出料后进行粉碎和筛分，得到所述
声明：
“低膨胀硅基复合材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：溧阳天目先导电池材料科技有限公司
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2025年06月13日 ~ 15日 
