本发明公开了一种化学气相沉积碳与气相渗硅工艺联合制备SiCf/SiC
复合材料的方法,包 括以下步骤:以SiC纤维为原料,采用三维编织技术制备SiC纤维编织件;以三氯甲基
硅烷为 沉积原料,对SiC纤维编织件进行第一次化学气相沉积,沉积的SiC涂层厚度为0.1~70μm; 再以甲烷或丙烯气体为原料,通过第二次化学气相沉积对SiC纤维编织件沉积碳,得到SiCf/C 中间体;最后以单质硅为原料,采用气相渗硅工艺对所述的SiCf/C中间体进行渗硅得到 SiCf/SiC复合材料。本发明具有制备周期短、成本低等优点,能够制备得到高致密性、高力 学性能和热导性能的SiCf/SiC复合材料。
声明:
“化学气相沉积碳与气相渗硅工艺联合制备SiCf/SiC复合材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)