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高体积分数SiC铝基复合材料表面离子镀铝膜层的方法

1030   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:39:03
本发明提供一种高体积分数碳化硅铝基复合材料表面铝膜层制备方法,即铝基碳化硅复合材料表面离子镀纯铝膜层的方法。将铝基碳化硅复合材料构件置于真空炉内,与真空室壳体之间加上负偏压,抽真空后通直流电并充氩,利用辉光离子对构件进行轰击净化活化处理,清除表面氧化膜和吸附物;接通高频电源,热解BN坩埚内的纯铝镀料通过高频感应加热蒸发,铝蒸发粒子在电场作用下,加速沉积在铝基碳化硅构件表面,形成0.13~0.25mm厚的铝膜层。采用这种方法,由于沉积粒子与铝基同种元素之间的强键合作用,以及辉光离子轰击对构件表面的净化活化作用,从而在铝基碳化硅复合材料表面形成结合牢固的铝膜层,达到改善这类材料连接性能的目的。
声明:
“高体积分数SiC铝基复合材料表面离子镀铝膜层的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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