本发明涉及一种集成电路引线框架用
复合材料,其特征是选用纯铜Q195材料,厚度比是:Cu∶Q195∶Cu=10~15%∶70~80%∶10~15%,经爆炸焊接、热轧、冷轧工艺,制得在Q195钢层的两面各包覆上一薄层纯铜,成品厚度为0.2~0.4mm,此Cu/Q195/Cu复合材料同美国的Cu/SUS430/Cu复合材料相比,机械物理性能与之相当,其导热率约高出2倍,而成本则降低一半,这种复合材料主要用做冲制集成电路引线框架。
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