本发明涉及SiCf/SiC
复合材料的连接方法,具体涉及一种用于SiCf/SiC复合材料连接的涂覆原料及反应扩散连接方法,用于解决现有反应扩散连接技术需要提前预制厚度达到微米级的金属箔片,以及对连接基材表面的粗糙度要求较高的不足之处。该用于SiCf/SiC复合材料连接的涂覆原料包括碳化钛粉和硅粉,其在高压高温条件下,界面原子相互扩散生成弥散的碳化硅,得到致密的碳化钛/碳化硅复相陶瓷连接层,减少了孔洞裂纹等缺陷,进而获得了更高的连接强度。同时,本发明公开一种用于SiCf/SiC复合材料连接的反应扩散连接方法。
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“用于SiCf/SiC复合材料连接的涂覆原料及反应扩散连接方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)