本发明公开了一种铝基碳化硅
复合材料及其制备方法,采用高温碳热还原法去除碳化硅原料表层的SiO2氧化层,并通过真空环境下的高温退火工艺让SiC原料表层的Si原子逃逸出SiC原料表层,使得剩余的碳原子重新组合形成少层
石墨烯,通过高温退火温度和时间工艺调控石墨烯层数,石墨烯能够阻止氧原子与内层碳化硅接触,防止高脆性、低热导率的SiO2氧化层形成,进而显著提高铝基碳化硅复合材料中碳化硅与
铝合金的界面接触性能,获得综合物理性能优异的铝基碳化硅复合材料。本发明方法能够制备碳化硅体积百分比在30~70%范围内连续变化的铝基碳化硅复合材料,实现铝基碳化硅复合材料的密度、热导率和力学性能在较大范围内连续变化,适应多种应用需求。
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