本发明提供一种在C/SiC
复合材料表面制备SiC纳米线的方法,包括以下步骤:首先,制备二氧化硅粉和碳粉的混合粉备用,然后对C/SiC复合材料样品进行喷砂处理,使其表面具有一定的粗糙度,接着采用PIP工艺在样品表面引入碳源,最后,将制得的样品悬空置于硅粉和碳粉的混合物上方,采用化学气相反应法在C/SiC复合材料表面制备SiC纳米线,本发明首次在C/SiC复合材料表面引入碳源并成功制备了SiC纳米线,解决了在C/SiC复合材料表面强韧化陶瓷涂层增韧相的制备问题,并且SiC纳米线能够大量生成,使得SiC纳米线完全覆盖基体表面,本发明制备方法简单,扩宽了C/SiC复合材料的使用范围。
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