本发明涉及一种真空浸渍结合反应熔体浸渗RMI制备C/SiC‑Diamond
复合材料的方法,以金刚石作为高热导相,通过真空浸渍的方法将配置好的金刚石浆料引入到已经用CVI法沉积至半致密的C/SiC多孔预制体中,最后用RMI法完成对C/SiC‑Diamond复合材料的致密化工作。该方法可解决C/SiC‑Diamond复合材料制备过程周期长、工艺复杂的问题,而且可以有效提高Diamond与SiC的界面结合强度,从而有效提高复合材料的热导率以及力学性能。
声明:
“真空浸渍结合反应熔体浸渗RMI制备C/SiC-Diamond复合材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)