本发明涉及电磁屏蔽材料技术领域,尤其涉及一种MXene基
复合材料及其制备方法和应用。本发明提供的MXene基复合材料,包括MXene和嵌于所述MXene层状结构中的纳米电磁屏蔽材料;所述纳米电磁屏蔽材料包括纳米
半导体材料或纳米铁磁材料。本发明在所述MXene的层状结构中嵌入半导体材料或铁磁材料,所述半导体材料和铁磁材料对MXene的反射损耗和多重反射损耗几乎没有影响;而半导体材料的加入可以平衡所述复合材料的电导率和介电常数,所述铁磁材料的加入在几乎不影响其电导的前提下,可以平衡复合材料的磁导率和电介电常数,使所述复合材料的吸收损耗得到有效的提高。
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