本发明公开了一种低填料含量场敏感型非线性导电
复合材料薄膜及其制备方法,本发明以具有高长径比的SiC纳米线为填料,二胺和二酐为单体,制备SiC纳米线/聚酰亚胺复合材料薄膜,且SiC纳米线在复合材料中的体积分数仅为1%‑3%。本方法工艺简单,适合大量制备,所制得的低填充比复合材料薄膜具有良好的非线性电导特性,电导率可以自发随电场强度变化而调控,同时对聚酰亚胺基体的力学性能没有劣化影响,可作为深层介质充电防护材料用于航天器等领域。
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