本发明属于聚合物基介电
复合材料技术领域,公开了一种氮掺杂碳/聚偏氟乙烯介电复合材料及其制备方法。首先将含有碳源和氮源的前驱体在惰性气氛中碳化,形成氮掺杂碳;再将氮掺杂碳和聚偏氟乙烯在有机溶剂中混合均匀,制得预成膜混合溶液;最后将预成膜混合溶液旋涂在平板上,干燥成膜,得到氮掺杂碳/聚偏氟乙烯介电复合材料。本发明制备方法步骤简单,原料易得,制备的介电复合材料具有良好的相容性和介电性能,介电常数能够达到27,为纯聚偏氟乙烯薄膜的3倍以上,具有极大的应用潜力。
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“氮掺杂碳/聚偏氟乙烯介电复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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