本发明公开一种量子点
复合材料、制备方法及半导体器件。方法包括步骤:在预定位置处合成第一种化合物;在第一种化合物的表面合成第二种化合物,所述第一种化合物与所述第二种化合物的合金组分相同或者不同;第一种化合物和第二种化合物体之间发生阳离子交换反应形成量子点复合材料,所述量子点复合材料的发光峰波长出现蓝移、红移和不变中的一种或多种。本发明利用量子点SILAR合成法精确控制量子点逐层生长以及利用量子点一步合成法形成渐变组分过渡壳。通过上述方法所制备的量子点复合材料,不仅实现了更高效的量子点复合材料发光效率,同时也更能满足半导体器件及相应显示技术对量子点复合材料的综合性能要求。
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