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电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法

1080   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:26:02
一种电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法,先对碳化硅颗粒(SiCp)表面进行粗化、敏化、活性、解胶及烘干五步预处理,再用5~12.5?g/l的硫酸铜、10~20g/l的EDTA、5~15g/l的酒石酸钾钠、体积分数1.2~1.5%的甲醛及体积分数0.7~0.9%的甲醇的镀液,在pH值11~12.5、35~47℃的条件下,对SiCp表面镀铜,再采用无压渗透法制备SiCp体积分数为50~55%的铝基复合材料。本发明工艺简便可靠、环保,制得的SiCp/Al复合材料的比强度和比刚度高、耐磨性好、热膨胀系数低,且导热率有极大提高,能很好解决电子封装材料存在的温度过高导致电子元件失效的问题。
声明:
“电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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