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β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法

937   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:26:01
一种β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明涉及一种β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明是为解决现有方法存在的粒径大、制备过程复杂和反应时间长的问题。方法:一、将尿素加入到去离子水中加热并搅拌至尿素完全溶解,再加入Ga(NO3)3溶液,搅拌至得到无色透明溶液;二、转移至内衬为聚四氟乙烯的容器中,然后将容器置入微波消解炉中加热,反应结束后自然冷却至室温,得到γ-Ga2O3前驱体;三、逐滴加入到SiC,然后先微波蒸干水分,再微波热处理,得到含SiC的固体混合物;四、将含SiC的固体混合物加入到去离子水中离心,再真空干燥,得到β-Ga2O3/SiC纳米复合材料。
声明:
“β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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