本发明提供一种CuGaX2/多层纳米石墨片
复合材料的制备方法,包括以下步骤:将纯相的铜基化合物CuGaX2研磨成粉末,其中CuGaX2为CuGaSySezTe2?y?z,其中0≤y≤2,0≤z≤2,0≤y+z≤2;将多层纳米石墨片配制成浓度为0.01?0.5g/L有机溶剂悬混液;称量预定量的CuGaX2粉末加入到步骤所述悬混液中,并在50?80℃条件下加热搅拌蒸干;将加热蒸干的复合材料粉末在300?500℃温度,100?500MPa压力条件下热压烧结成型。本发明的制备方法降低了复合材料的带隙宽度,增大了载流子迁移的效率,提高了电导率,特别是室温附近的热导率,使复合材料的热电势在室温至600℃的温度区间内都得到了提升,最终提升了复合材料的热电性能。上述制备方法反应条件温和,温度易于控制,复合材料物相均匀,易于实现,便于大规模生产。
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“CuGaX2/多层纳米石墨片复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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