本发明涉及一种碳/碳
复合材料表面晶粒细小碳化硅涂层的制备方法,对经打磨抛光清洗干燥后的碳/碳复合材料进行原子氧氧化处理,原子氧氧化处理后碳/碳复合材料表面呈现“绒状”,这些绒状表面可提供大量的形核点,有助于SiC涂层的形核,使其在碳/碳表面形成更加均匀致密的涂层。再利用包埋法在氩气保护的真空炉中在经过原子氧氧化的碳/碳复合材料表面制备碳化硅涂层,制备的SiC涂层晶粒尺寸为1‑5μm,传统包埋法制备的SiC涂层晶粒尺寸约20‑100μm。相比未经过原子氧氧化处理的试样氧化后,表面出现大量的孔洞和裂纹,孔洞尺寸约20μm‑500μm。而经过原子氧氧化处理的试样氧化后,表面孔洞较少,孔洞尺寸约20μm‑110μm,且表面形成的玻璃态较连续,能够有效保护C/C复合材料。
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