本发明提供一种基于
石墨烯复合材料/氮化硅/硅
芯片多层结构的散热系统及构建方法,属于微电子器件的散热技术。该散热架构包括硅基发热器件,Si3N4绝缘层,石墨烯复合材料热沉和基板。其中通过化学气相沉积法在硅片背面沉积一层致密的Si3N4绝缘层,通过化学键将石墨烯复合材料与Si3N4绝缘层互连,最后将上述带有散热架构的硅片与基板相连并封装成器件。本发明利用了化学键将硅基发热器件,热界面材料,热沉互连,极大减少各器件层间距,避免层间微空隙所引起的热阻,促进声子传热,进而提高了整体散热系统的散热能力,使得芯片能够在恶劣的高温环境下工作。且封装后,整体系统更轻更薄,符合当代半导体器件的发展趋势。
声明:
“石墨烯复合材料/氮化硅/硅芯片高效散热系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)