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净尺寸C/SiC陶瓷基复合材料的制备方法

935   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:17:02
本发明涉及一种净尺寸C/SiC陶瓷基复合材料的制备方法。所述制备方法包括:(1)提供碳/碳基体;(2)对所述碳/碳基体进行超声干燥洁净处理,并将ZrC‑ZrB2喷涂剂喷涂于所述碳/碳基体表面,得到多孔碳/碳复合材料;(3)以硅合金为反应物,采用反应熔渗法将所述多孔碳/碳复合材料制成净尺寸C/SiC陶瓷基复合材料。该制备方法通过利用ZrC、ZrB2与硅的热膨胀系数相差较大的特点,使得在材料表面残留堆积的硅呈现疏松多孔结构,借助于简单打磨,可获得净尺寸成型的C/SiC陶瓷基复合材料,从而减少后续机械加工,有效降低成本,解决了传统反应熔渗法制备C/SiC陶瓷基复合材料表面残留合金较多的问题。
声明:
“净尺寸C/SiC陶瓷基复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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