本发明属于陶瓷基
复合材料的制备领域,尤其涉及一种SiC晶须强化的SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。一种SiC晶须强化的SiC陶瓷基复合材料,复合材料由预制件通过Si或Si合金熔渗反应制备得到,所述的预制件由包括稻壳SiC晶须化产物的原料模压成型制得。该复合材料方法制备工艺简单,熔渗反应温度低,无需外加压力,预制件可制成复杂形状,可用于制备复杂形状的构件。复合材料的主要组成相SiC来源于稻壳,原料丰富、成本低,可显著降低陶瓷基复合材料的制造成本、节省资源和保护环境。所制备的SiC陶瓷基复合材料性能优良,SiC晶须对材料起到增强作用,可用于SiC反应烧结陶瓷材料制品的适用场合,如滑动轴承、耐腐蚀、耐磨损的管道、阀门、风机叶片和军、民用防弹衣等。
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“SiC晶须强化的SiC陶瓷基复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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