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电子封装用Cu/Ag(Invar)复合材料的制备方法

736   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:16:02
一种电子封装用Cu/Ag(Invar)复合材料的制备方法,采用主盐为AgNO3,还原剂为KNaC4H4O6的化学镀溶液体系对平均粒径为25‑50 um的Invar粉体进行化学镀Ag,制备出化学镀Ag(Invar)复合粉体,以Ag(Invar)复合粉体与平均粒径为25‑50 um的Cu粉为原料,按照30‑50 wt%Cu的成分配料后,加入原料粉体总量0.5wt%的硬脂酸锌作为润滑剂,双轴滚筒混料,300‑600 MPa单向压制,高纯H2气氛保护,650‑800 ℃保温1‑3 h常压烧结制备Cu/Ag(Invar)复合材料,并采用多道次冷轧+退火的形变热处理工艺实现复合材料的近完全致密化。采用上述工艺制备的40 wt%Cu/Ag(Invar)复合材料可达致密度99%,硬度为HV256,热膨胀系数11.2×10‑6 K‑1,热导率53.7 W·(m·K)‑1,综合性能优异,可用作高性能电子封装热沉材料。
声明:
“电子封装用Cu/Ag(Invar)复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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