本发明涉及一种纳米箔带扩散连接碳化硅陶瓷基
复合材料的工艺,属于焊接制造技术领域。由于陶瓷及陶瓷基复合材料的加工性能较差、耐热冲击能力弱,国内外在陶瓷或陶瓷基复合材料的连接中,普遍使用传统的Ag-Cu-Ti、Cu-Ti系活性钎料进行钎焊连接,但相应的接头耐热温度很难超过500℃。本发明提供一种可用于SiC陶瓷基复合材料的低温活化连接、接头耐高温的连接方法,通过采用纳米级厚度的Ti和Al金属层交替叠加的箔带作为焊料,经过热压烧结方法,实现碳化硅陶瓷基复合材料的连接,获得的连接接头不仅室温强度高,而且室温接头强度的75%以上可以稳定至1100℃的高温。
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