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含Ti3SiC2界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法

1121   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 15:13:02
本发明公开了一种含Ti3SiC2界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积Ti3SiC2，获得含Ti3SiC2界面层的SiC纤维编织件，然后通过树脂浸渍碳化获得SiCf/C多孔体，再通过气相渗硅获得SiCf/SiC复合材料；所述磁控溅射为先采用TiC靶进行磁控溅射，在SiC纤维束或SiC纤维编织件表面获得0.1～0.2μm的TiC过镀层，然后再采用TiC靶材与Si靶双靶共溅射获得Ti3SiC2，所述Ti3SiC2的厚度控制为0.6～1.0μm；本发明首创的采用磁控溅射的方法获得了含Ti3SiC2界面层的SiCf/SiC复合材料，有效降低了沉积温度，避免了纤维的损伤，所得界面层在抗氧化性能方面优于现有技术常用的C、BN等界面层。同时本发明采用非接触式气相渗硅法进行陶瓷化，有效的降低了密度梯度，且可保证100％的合格率。
声明：
“含Ti3SiC2界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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