本发明涉及纳米插层
复合材料领域,公开了一种全新的聚合物/层状硅酸盐纳米插层复合材料的制备方法。该方法采用单体、层状硅酸盐在引发剂下合成,合成过程在超临界二氧化碳中进行,反应温度31.2~200℃,反应压力7.5~150MPa。本发明提供的方法简单易行、体系散热较好,反应平稳,不易发生爆聚,安全实用,该方法也不需要溶剂回收设备,最终产物易分离纯化,不需要洗涤干燥设备以及大量的热能消耗,制得复合材料中层状硅酸盐可达到纳米级分散。
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“聚合物/层状硅酸盐纳米插层复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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