本发明属于
纳米材料技术领域,公开一种N‑GQDs修饰的3DOM In
2O
3复合材料及其制备方法和应用。所述复合材料由3DOM In
2O
3及其均匀地负载在其表面和孔道内部的N‑GQDs组成。将N‑GQDs分散在水中,加入3DOM In
2O
3,N
2鼓泡1~3 h,然后将混合物控温在150~180℃水热反应4~8 h,自然冷却至室温,最后真空干燥,即得N‑GQDs修饰的3DOM In
2O
3复合材料。所述复合材料在NO
2气体传感器中作为气敏材料的应用。本发明通过使用N‑GQDs修饰的3DOM In
2O
3,有效地克服了二维
石墨烯无法进入3DOM In
2O
3孔道内部,从而无法构成有效异质结的问题,具有好的重复性、选择性、长期稳定性以及短的响应恢复时间,能够实现100 ppb的实际检测浓度,可用于超低浓度下的NO
2含量检测。
声明:
“N-GQDs修饰的3DOM In2O3复合材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)