本发明涉及一种纳米级高强度、导电性TiO2-Si3N4
复合材料的制备方法,其特征在于首先用非均相沉淀法制备锐钛矿型纳米TiO2-Si3N4复合粉体,由纳米TiO2-Si3N4复合粉体原位氮化制成氧化钛-氮化硅复合粉体,然后原位氮化制成TiN-Si3N4复合粉体,加入Y2O3、Al2O3添加剂,制成TiN-Si3N4-Al2O3-Y2O3复合粉体,将TiN-Si3N4-Al2O3-Y2O3的复合粉体热压烧结而制成高强度、导电性的TiO2-Si3N4复合材料;复合材料中TiN/Si3N4=5/87~25/67,Al2O3为3,Y2O3为5(均为vol%)。本发明提供的方法制备的TiN-Si3N4中TiN/Si3N4=5/87~25/67(vol%),在TiN含量为20-25vol%导电性最高,原位氮化后TiN颗均匀包裹在Si3N4颗粒表面,晶粒尺寸为40-50纳米;比文献报道的(30-50)vol%TiN含量低。
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