本发明涉及一种以含硅芳炔树脂为前驱体制备的C/C-SiC
复合材料及其制备方法,含硅芳炔树脂是一种新型的有机无机杂化树脂,可溶可熔,固化树脂耐热性能突出,热分解残留率(800℃)高达90%以上。本发明以含硅芳炔树脂为前驱体,采用前驱体浸渍法(PIP)制备C/C-SiC复合材料,具体工艺为:将纤维或织物浸渍含硅芳炔树脂前驱体溶液或熔体,制备含硅芳炔树脂复合材料,经高温炭化得到多孔C/C-SiC复合材料;再用含硅芳炔树脂溶液或熔体再次浸渍多孔C/C-SiC复合材料,再经干燥、固化、炭化工序,如此重复2~6次,制得性能优良的致密C/C-SiC复合材料,本发明技术具有浸渍工艺简易、炭化工艺简单、致密化效率高、材料性能高的特点。发明的C/C-SiC复合材料可望用于航天航空等高技术领域。
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“用含硅芳炔树脂制备的C/C-SiC复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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