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有机薄膜晶体管及其制备方法

1122   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:11:01
本发明公开了一种有机薄膜晶体管,包括Si基板,其特征在于:所述Si基板的背面设置栅电极,所述Si基板的正面设置有单层或者多层有机栅绝缘膜,所述有机栅绝缘膜的上端蒸镀有漏电极和源电极,所述漏电极、源电极和有机栅绝缘膜的表面覆盖有有机半导体膜。该晶体管引入了有机绝缘层,代替传统的SiO2绝缘层,降低了工艺温度,简化了制作过程,可在常温下制备,并且适合大面积器件的制作。
声明:
“有机薄膜晶体管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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