本发明公开了一种有机薄膜晶体管,包括Si基板,其特征在于:所述Si基板的背面设置栅电极,所述Si基板的正面设置有单层或者多层有机栅绝缘膜,所述有机栅绝缘膜的上端蒸镀有漏电极和源电极,所述漏电极、源电极和有机栅绝缘膜的表面覆盖有有机半导体膜。该晶体管引入了有机绝缘层,代替传统的SiO2绝缘层,降低了工艺温度,简化了制作过程,可在常温下制备,并且适合大面积器件的制作。
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