本发明公开了一种真空熔渗法制备石墨泡沫/Cu
复合材料的方法,属于电子封装
功能材料领域,本发明在石墨泡沫表面施覆一层碳化钼层以改善铜与石墨表面的浸润性,随后进行真空熔渗获得铜/石墨泡沫复合材料,其中Cu在熔点以上进行熔渗,熔融的铜溶液在重力以及毛细管力的作用下填充石墨泡沫内部的孔洞,同时石墨泡沫作为增强体,具有复杂的三维结构,结构稳定,强度高,各项力学性能均较为优异,进而所获得的石墨泡沫/Cu复合材料高导热、低密度、低膨胀,且相比于传统的金刚石增强铜基复合材料后期加工处理难度极低,是一种应用前景非常好的电子封装用基体材料。
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