本发明公开了一种AMOLED器件制备方法。所述方法包括:形成聚合物基板;在所述聚合物基板上制作基板阻障层,所述基板阻障层为包含多层
石墨烯膜的阻障层,或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层;在所述基板阻障层上制作薄膜晶体管阵列以及有机发光
功能材料层,并进行阴极蒸镀形成阴极;在所述阴极上制作封装阻障层,所述封装阻障层为包含多层石墨烯膜的阻障层,或多层石墨烯膜与有机物膜相互交替的阻障层。本发明还相应公开了一种AMOLED器件。应用本发明技术方案,能够满足AMOLED器件的高柔性要求。
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