本发明公开一种柔性光电子器件的制备方法,该方法采用氧化锗作为牺牲层,通过在氧化锗层上沉积、图案化多种
功能材料层,采用水作为腐蚀液剥离衬底,得到柔性光电子器件。该制备方法因氧化锗可承受高温、承受等离子体轰击,所以可以实现高质量光学薄膜在高温条件下,在等离子体轰击诱导条件下的沉积和退火优化,完成高性能柔性光电子器件的制备;且在整个柔性光电子器件制备过程中,氧化锗遇水即溶,水作为腐蚀液最大可能避免了薄膜材料的损伤,保证了器件的完整性;本发明的方法可扩展到多种类光学材料柔性光电子器件,可以广泛应用于集成光学器件、空间光学器件和电子元器件的制备。此外,该方法还可用于实现柔性多层波导集成器件。
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