一种基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法,该方法包括:在衬底上生长第一电热绝缘材料层,旋涂并光刻形成纵向第一掩膜层;在第一电热绝缘层上淀积第一
功能材料层,并形成第一功能材料层缝隙;之其上制备一层相变材料层;退火、腐蚀,将相变材料层去除,形成相变材料层纳米线;光刻,形成水平对置电极层局域化的相变材料量子点;去除第二掩模层,淀积第二电热绝缘层;去除第三掩模层;淀积第三电热绝缘材料层;光刻出第四掩模层,腐蚀,薄膜淀积第二功能材料层,并剥离形成测试电极,完成器件制备。本发明具有工艺精度要求低、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低和经济高效的优点。
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