本发明公开了一种形成复合
功能材料结构的方法。该方法包括:步骤A,高能量离子注入于施主晶片表层,在离子注入投影射程位置形成脆弱区,其中,离子注入的能量介于60KeV至500KeV之间;步骤B,将施主晶片和衬底晶片进行键合,形成包括施主晶片和衬底晶片的复合结构;步骤C,对键合后形成的复合结构进行退火处理,使得施主晶片在脆弱区发生剥离,从而在衬底晶片表面附着施主晶片薄层结构,形成复合功能材料结构。本发明采用高能量的离子注入,控制投影射程在距离表面更远的位置,利用晶片表层的剥落,即使在存在少数键合缺陷的情况下,也能够得到更好的转移薄层,从而提高剥离的效率和转移层的质量、性能。
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