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离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法

1179   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:02:23
本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法,其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言,在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中,植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂,此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx+和BnHx-,其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。
声明:
“离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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