本发明涉及一种生产高纯铟过程中去除镉和铊杂质的方法及装置,属于冶炼行业的高纯
有色金属冶炼领域。本发明的具体工艺过程为:第一步,将铟放入坩埚中装入真空罐中,再将圆筒形钛板放置在坩埚盖上,盖好钛密封套,合上真空罐盖,开启水冷系统,启动
真空泵;将真空度控制在10PA以下;第二步,将坩埚底部温度控制在400~1000度,保温1~5小时,将镉和铊杂质挥发完全,最后高纯度的铟留在坩埚中,达到提纯的目的。本发明具有生产速度快,能耗低,设备加工简单,适用大规模生产需要。由于生产过程中,无需加入化学试剂,产品纯度高,且生产过程中无污染,无染物排放。
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