本发明公开了一种太阳能等级
多晶硅的制备方法,采用3N级的金属硅作为原料,在真空熔炼炉中通过造渣和定向凝固进行提纯,将金属硅提纯到纯度为99.9999%的太阳能级多晶硅。本发明通过真空熔炼,可将金属硅中硼的含量从5ppm降低到0.5ppm,将磷的含量从15ppm降低到0.8ppm,金属总量杂质从1000ppm降低到0.1ppm以下。本发明工艺流程短,耗电量小,而且无污染排放,可以大幅度地降低多晶硅生产的投资成本和生产成本,可进行大规模生产。
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